JustMakeWeb.com รับทำเว็บไซต์ รับทำเว็บโรงแรม รับทำเว็บขายของ รับทำเว็บบริษัท เว็บสำเร็จรูป รับทำเว็บร้านค้า ออกแบบเว็บไซต์ ใช้งานได้ง่าย รองรับ SEO โปรโมท GOOGLE ให้ติดอันดับได้อย่างรวดเร็ว , ลงโฆษณาฟรี VPS ราคาถูก
รับทำเว็บไซต์
0
สถิติเว็บไซต์
เปิดเว็บเมื่อ : 2007-03-05
จำนวนสมาชิก : 580 คน
ปรับปรุงเมื่อ : 2025-05-02
จำนวนครั้งที่ชม : 14,931,692 ครั้ง
Online : 138 คน
จำนวนสินค้า : 351 รายการ
ทะเบียนพาณิชย์
สนใจ สงสัย ไลน์ มาได้

 
  ID ระบบ : @440aburo
ร้านค้า
ถูกใจ Like เลย
มอเตอร์ไซด์ไฟฟ้า จดทะเบียน
รวมผลงานบน YouTube
รวมบทความและผลงาน
โฆษณา Google Adsense
พื้นที่โฆษณา แลกลิ้งค์




มีผู้ชม 213 ครั้ง
DCMotor Drive Board 12-36V 200A
DCMotor Drive Board 12-36V 200A DCMotor Drive Board 12-36V 200A DCMotor Drive Board 12-36V 200A DCMotor Drive Board 12-36V 200A DCMotor Drive Board 12-36V 200A
รหัสสินค้า : EB-TK200
ราคา ฿0.00THB
จำนวน
แผงวงจรขับดีซีมอเตอร์ EB-TK200 พิกัด  12-36Vdc 200A

สินค้าอยู่ระหว่างออกแบบ วิจัยพัฒนา พบกันเร็วๆนี้


รุ่น 200A  Mosfet IRFS7530 Spec 240Ax4





 

    ภาคขับกระแสหลักใช้ Mosfet IRFS7530 Spec 240A เพียงพอสำหรับใช้ในงาน

กระแส 100A (MOS 100%) เช่นรถเพื่อการเกษตร งานวิจัยพัฒนา DIY หรือในงาน

อุตสาหกรรม เป็นต้น คุณสมบัติสำคัญคือการหาทางป้องกันแรงดันเกิน (Transient

Voltage Protection) หรือ Back EMF

 

แนวทางในการออกแบบและการทำงานของวงจร

 
 
 อันดับแรกเราต้องทราบว่าเราจะไปใช้งานสเปคเท่าไร แรงดัน และ กระแสใช้งานที่

ต้องการเท่าไร จากนั้นจึงมาเลือก Power Mosfet ที่มีคุณสมบัติตามต้องการได้

ตัวอย่างวงจรที่ผมออกแบบนี้ เบื้องต้นสำหรับใช้งานที่แรงดัน 12-36V กระแสใช้งาน

จริงๆไม่เกิน 100A ก็ถือว่าสูงมาก ซึ่งปกติใช้งานจริงๆกระแสมอเตอร์อยู่แค่ระดับ 30-40A

ก็เพียงพอ แต่ผมเลือกใช้ IRFS7530  เพราะตามสเปคระบุ แรงดัน 60V กระแส 240A

ถือว่าสูงมาก แต่การใช้งานจริงเผื่อไว้ 100A นั่นก็ถือว่ามากเพียงพอใช้งานทั่วไปแล้ว 

ปกติถ้า เลือกแรงดันสูงกระแสก็ต่ำ เลือกแรงดันต่ำกระแสก็สูง ได้อย่างเสียอย่าง

เลือกที่เหมาะสมกับการใช้งานของเราก็ OK





คลิบตัวอย่างการเลือก Mosfet Spec




   ถัดมาก็ต้องมาออกแบบภาค Gate Drive ว่าจะใช้วงจรไหนซึ่งมีมากมายแต่จากที่ศึกษา

มาง่ายสุดก็จะเป็นพวก IC Gate Driveสำเร็จรูปอย่าง IC TLP250  หรือ IR2110 ก็ตามซึ่ง

แล้วแต่การเลือกใช้งานในการออกแบบวงจรต่อไป


       

   ส่วนที่ผมเลือกใช้คือ IR2110 เนื่องจากการต่อใช้งาน Drive Gate Power Mosfet แบบ

H-Bridge ทำได้สะดวก แต่ข้อเสียยุ่งยากหน่อยคือ เรื่องไฟเลี้ยง IC แยกเป็น 2 ส่วนคือ

ไฟเลี่ยงในส่วนขับ Gate และไฟเลี้ยงในส่วนของ Input หากออกแบบให้ใช้ร่วมกันได้

ก็ไม่ยากทำได้ และ สำคัญอีกจุดคือ การเลือก Bootstrap Capacitor (Cboot) ค่าที่

เหมาะสม กับย่านความถี่ PWM ที่ใช้งานเนื่องจาก Power Mosfet มีค่าการประจุชาจ์ทที่

ขา Gate สามารถหาดูได้ใน DataSheet เรียกว่าค่า Qg (Total Gate Charge) แต่ถ้าง่ายๆ

เราก็เลือกใช้ค่าสูงๆไว้เพื่อเป็นการเพียงพอในการชาจ์ทประจุ 2.2-4.7uF
(X7R ceramic)


   อีกส่วนคือหากต้องการแยก Input Isolate ต้องจัดภาค Input โดยใช้ Opto isolator

module เข้ามาช่วยเสริม แต่ TLP250 มี Opto isolator ในตัวเองด้านล่างนี้เป็นข้อมูล

Block Diagram ของ IC IR2110





ตัวอย่างวงจร 
Drive Gate Power Mosfet  ใช้  IR2110


ข้อมูลสำคัญอีกอย่างและเป็นเทคนิคสำคัญ ในการออกแบบวงจร DCMotor Drive คือ

เรื่องการป้องกัน BACK EMF



  วงจรไม่ว่าจะออกแบบมาเลือกใช้ Power Mosfet เทพแค่ไหนหากไม่คำนึงถึงแรงดันตีกลับ ซึ่งเป็น

ศัตรูตัวร้ายในวงจร Driver Motor จะสร้างความเสียหาย ต่อวงจรได้ในแบบชั่วขณะ หรือ ที่เราเรียกว่า

Back EMF ขณะมอเตอร์เปลี่ยนแปลง สถานะการทำงาน จากมีโหลด เป็นไม่ีมีโหลด หรือ ช่วงกลับทางหมุน

ความสัมพันธ์และข้อมูล Back EMF สามารถศึกษาดูได้จากข้อมูลประกอบและคลิบด้านล่างนี้เพิ่มเติมเพื่อ

ความเข้าใจ มากขึ้น 

 

มอเตอร์เริ่มหมุนแบบไม่มีโหลด BackEMF เริ่มมา  มอเตอร์หมุนเร็วรอบสูงขึ้น BackEMF สูงขึ้น
มอเตอร์หมุนเร็วขึ้น BackEMF สูงขึ้นๆ  ที่ความเร็วรอบสูงสุด แบบไม่มีโหลด BackEMF สูงสุด
เริ่มมีโหลด รอบตกลง กระแสสูงขึ้น  BackEMF ลดลง สภาวะ MaxLoad ถ้ารอบเป็นศูนย์ กระแสสูงไม่ดี เสี่ยงไหม้



*** สรุปได้ว่า BackEMF หรือที่เราเรียกว่าแรงดันย้อนกลับนี้ มีโอกาสจะทำความเสียหายต่อ

Driver Motor Circuit ได้แบบทันทีทันใดนั้นคือตอนที่ "มอเตอร์ Run ตัวเปล่าไม่มีโหลดแบบรอบสูง

หรือช่วงจังหวะที่มีโหลดอยู่แล้วปลด โหลดออกทันทีทันใด"
ก็จะทำให้เป็นสภาวะที่เกิด BackEMF

สูงสุดย้อนตีกลับวงจรเสียหายได้ง่าย กลับกันขณะมีโหลดนั้นจะพิจารณาที่ กระแสใช้งาน และ เรื่อง

การระบายความร้อน ให้ทันเป็นหลักซึ่งหากควบคุมได้ไม่เกินสเปคอุปกรณ์ก็ไม่มี ปัญหานั่นเอง





เครดิต ----> https://www.digikey.co.th/en/articles/controlling-sensorless-bldc-motors-via-back-emf



คลิบศึกษา BackEMF เกิดขึ้นได้อย่างไร และแนวทางออกแบบป้องกัน




   จากคลิบสามารถสรุปเป็นภาษาบ้านๆ ที่เข้าใจง่ายคือ อุปกรณ์ที่เป็นขดลวด เมื่อมีกระแสไหลผ่าน

ขั้วนึงจะเป็นบวก ขัวนึงเป็นลบ พอเราหยุดจ่ายไฟให้ อุปกรณ์ขดลวด ไม่ว่าจะเป็น L Coil Motor Relay 

เหล่านี้ทั้งหลาย มันจะคายพลังงานออกมา ตามสูตรเขาบอกมาว่า V = L*dI/dt  และจะมีแรงดัน

กลับกันกับตอนแรก ฉะนั้นแรงดันนี้มันจะไปเสริมบวกรวมกับแรงดันแหล่งจ่าย แน่นอนจะทำให้เกิด

แรงดันตกคร่อมอุปกรณ์สวิทช์ หรือ Vds Mosfet นั่นเอง ซึ่งหากสูงเกินสเปคที่ออกแบบไว้ ไหม้ตุย

อย่างเดียว จึงต้องออกแบบหาทางป้องกันไว้ด้วย ดังตัวอย่างด้านล่างนี้เป็นต้น





ข้อมูลคุณสมบัติทางเทคนิค
 

- แผงวงจรขับดีซีมอเตอร์ EB-TK200 พิกัด  12-36Vdc 200A Peak พร้อมวงจรป้องกันแรงดันเกิน

เป็นบอร์ดขับดีซีมอเตอร์แบบเฮชบริดจ์ (สามารถควบคุมมอเตอร์หมุนกลับทางได้)

- รองรับแรงดันทางเอาต์พุต (แรงดันไฟเลี้ยงมอเตอร์) : 12-36Vdc

- รองรับแรงดันไฟอินพุต 3-5V/8mA TTL Level

- กระแสทางด้านเอาต์พุต : กระแสพีคสูงสุด 200A 

- มีวงจรป้องกันแรงดันเกิน (Transient Voltage Protection)

- มีออปโต้คัปเปลอร์ สำหรับแยกกราวด์ทางด้านอินพุต ออกจากทางด้านเอาต์พุต

- เหมาะสำหรับนำไปประยุกต์ ใช้งานในการควบคุม ระบบขับเคลื่อนต่างๆ  อาทิเช่น รถตัดหญ้าบังคับ ไฟฟ้า

 

จุดต่อทางด้าน Input
 

  จุดต่อควบคุมทางด้านอินพุต (3-5V/8mA TTL Level มีออปโต้สำหรับแยกกราวด์ทางด้านอินพุตกับเอาต์พุต)
 

   GND  : จุดต่อกราวด์ทางด้านอินพุต

   EN/PWM : ควบคุม ON/OFF  หรือสามารถต่อสัญญาณ PWM เพื่อใช้ในการควบคุมความเร็วของมอเตอร์ได้  (Active High: 0=off, 1=On)

   IN1 :  ควบคุมการหมุนทางซ้าย 

   IN2 :  ควบคุมการหมุนทางขวา

 

จุดต่อทางด้าน Output

 
 +VS : จุดต่อไฟเลี้ยงมอเตอร์ (รองรับแรงดันสูงถึง 12-36Vdc)

  M+  : จุดต่อมอเตอร์ด้านบวก

  M-   :  จุดต่อมอเตอร์ด้านลบ

  GND:  จุดต่อกราวด์